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MOSFETs 晶体管阵列 / PJQ5846_R2_00001
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: PJQ5846_R2_00001
- 厂商: Panjit
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 8-PowerTDFN
- 描述: MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- 库存地点: 内地
- 库存: 50
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件包装:DFN5060B-8
- Moisture Sensitive:有
- Unit Weight:0.002822 oz
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:3000
- Manufacturer:Panjit
- Brand:Panjit
- RoHS:Details
- Package:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:9.5A (Ta), 40A (Tc)
- 厂商:Panjit International Inc.
- Product Status:活跃
- 包装:Reel
- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:-
- 子类别:MOSFETs
- 技术:Si
- 功率 - 最大:1.7W (Ta), 32W (Tc)
- 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5mOhm @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1258pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:22nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):40V
- 产品类别:MOSFET
- 场效应管特性:Standard
- 产品类别:MOSFET
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