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MOSFETs 晶体管阵列 / G2K3N10L6
- 价格 起订量
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- 型号： G2K3N10L6
- 厂商： GOFORD(谷峰)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6
- 描述： N100V, 3A,RD<220M@10V,VTH1.0V~2.
- 库存地点： 内地
- 库存： 1665
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 供应商器件包装：SOT-23-6L
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number：G2K3N
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A (Tc)
- 厂商：Goford Semiconductor
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：G
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 配置：2 N-Channel (Dual)
- 功率 - 最大：1.67W (Tc)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：220mOhm @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：536pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.8nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 场效应管特性：-
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