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JFETs 晶体管 / PMBFJ112,215
- 价格 起订量
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- 型号： PMBFJ112,215
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 6220
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MBFJ112
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率 - 最大：300mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6pF @ 10V VGS
- JEDEC-95代码：TO-236AB
- 漏极-源极导通最大电阻：50Ohm
- DS 击穿电压-最小值：40V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大耗散功率(Abs)：0.3W
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：5mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：5V @ 1μA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：40V
- 电阻-RDS(On)：50Ohm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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