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图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / 2SK3666-2-TB-E
- 价格 起订量
- ￥ 0.60200 1+
- ￥ 0.56792 10+
- ￥ 0.53578 100+
- ￥ 0.50545 500+
- ￥ 0.47684 1000+
- 型号： 2SK3666-2-TB-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3
- 描述： JFET N-CH 10MA 200MW CP
- 库存地点： 内地
- 库存： 55
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.60200
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 包装/外壳：TO-236-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Number of Elements：1
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：200mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：10mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.01A
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：4pF
- 场效应管技术：JUNCTION
- 漏源电阻：200Ohm
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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