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JFETs 晶体管 / SMMBFJ175LT1G
- 价格 起订量
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- ￥ 1.77139 10+
- ￥ 1.67112 100+
- ￥ 1.57653 500+
- ￥ 1.48730 1000+
- 型号： SMMBFJ175LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS JFET P-CH 30V SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.87768
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
- 工厂交货时间：40 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：225mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 场效应管类型：P-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：11pF @ 10V VGS
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06A
- 漏极-源极导通最大电阻：125Ohm
- 场效应管技术：JUNCTION
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5.5 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：7mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3V @ 10nA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：30V
- 电阻-RDS(On)：125Ohm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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