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JFETs 晶体管 / 2SK3666-3-TB-E
- 价格 起订量
- ￥ 1.35767 1+
- ￥ 1.28082 10+
- ￥ 1.20832 100+
- ￥ 1.13993 500+
- ￥ 1.07540 1000+
- 型号： 2SK3666-3-TB-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.35767
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- Breakdown Voltage / V：30V
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：200mW
- 基本部件号：2SK3666
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4pF @ 10V
- 连续放电电流(ID)：10mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-30V
- 漏源击穿电压：30V
- 漏源电阻：200Ohm
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：1.2mA @ 10V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：180mV @ 1μA
- 电阻-RDS(On)：200Ohm
- 最大漏极电流（Id）：10mA
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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