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图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / MMBFJ111
- 价格 起订量
- ￥ 3.76466 1+
- ￥ 3.55157 10+
- ￥ 3.35054 100+
- ￥ 3.16088 500+
- ￥ 2.98197 1000+
- 型号： MMBFJ111
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： JFET N-CH 35V 350MW SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 21718
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.76466
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Breakdown Voltage / V：-35V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：35V
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：20mA
- 基本部件号：MBFJ111
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：350mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：35V
- 连续放电电流(ID)：20mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-35V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 漏源电阻：30Ohm
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：20mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3V @ 1μA
- 电阻-RDS(On)：30Ohm
- 高度：1.04mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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