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图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / J112
- 价格 起订量
- ￥ 3.45894 1+
- ￥ 3.26315 10+
- ￥ 3.07844 100+
- ￥ 2.90419 500+
- ￥ 2.73980 1000+
- 型号： J112
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
- 库存地点： 内地
- 库存： 10
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.45894
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-92-3
- 质量：200.998119mg
- Breakdown Voltage / V：-35V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：35V
- 最大功率耗散：625mW
- 额定电流：50mA
- 基本部件号：J112
- 电压：35V
- 元素配置：Single
- 电流：5A
- 功率耗散：350mW
- 功率 - 最大：625mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 漏源电压 (Vdss)：35V
- 连续放电电流(ID)：5mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-35V
- 漏源电阻：50Ohm
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：5mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1V @ 1μA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：35V
- 电阻-RDS(On)：50Ohms
- 高度：5.33mm
- 长度：5.2mm
- 宽度：4.19mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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