图片经供参考,以实物为准

JFETs 晶体管 / MMBFJ201

  • 价格 起订量
  • ¥ 3.50503 1+
  • ¥ 3.30663 10+
  • ¥ 3.11947 100+
  • ¥ 2.94289 500+
  • ¥ 2.77631 1000+
  • 型号: MMBFJ201
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: JFETs 晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: MMBFJ201 Series 40 V 1 mA N-Channel General Purpose Amplifier - SOT-23
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 26000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 3.50503

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
  • 工厂交货时间:42 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 引脚数:3
  • 质量:30mg
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Breakdown Voltage / V:-40V
  • Number of Elements:1
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2008
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin (Sn)
  • 电压 - 额定直流:40V
  • 最大功率耗散:350mW
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 额定电流:50mA
  • 基本部件号:MBFJ201
  • 通道数量:1
  • 元素配置:Single
  • 操作模式:DEPLETION MODE
  • 功率耗散:350mW
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 漏源电压 (Vdss):40V
  • 连续放电电流(ID):1mA
  • 栅极至源极电压(Vgs):-40V
  • 场效应管技术:JUNCTION
  • 最大结点温度(Tj):150°C
  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0):200μA @ 20V
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):300mV @ 10nA
  • 高度:1.2mm
  • 长度:2.92mm
  • 宽度:1.3mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

采购询价

可替换产品