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JFETs 晶体管 / J106
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： J106
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： JFET N-CH 25V 625MW TO92
- 库存地点： 内地
- 库存： 192
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：201mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 额定电流：200mA
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：625mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 连续放电电流(ID)：200mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 漏源电阻：6Ohm
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：200mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2V @ 1μA
- 电阻-RDS(On)：6Ohm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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