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单MOSFET晶体管 / IPS075N03LG

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IPS075N03LG
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • 描述: N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 12417
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:PG-TO251-3-11
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Package:Bulk
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
  • 厂商:Infineon Technologies
  • Power Dissipation (Max):47W (Tc)
  • Product Status:活跃
  • Package Description:IN-LINE, R-PSIP-T3
  • Package Style:IN-LINE
  • Moisture Sensitivity Levels:1
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:175 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IPS075N03LG
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Infineon Technologies AG
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:5.73
  • Part Package Code:TO-251
  • Drain Current-Max (ID):50 A
  • 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 系列:CoolMOS™
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:哑光锡
  • 附加功能:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
  • HTS代码:8541.29.00.95
  • 子类别:FET 通用电源
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PSIP-T3
  • 资历状况:不合格
  • 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mOhm @ 30A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1900 pF @ 15 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:18 nC @ 10 V
  • 漏源电压 (Vdss):30 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-251
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.0114 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):350 A
  • DS 击穿电压-最小值:30 V
  • 雪崩能量等级(Eas):50 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):47 W
  • 场效应管特性:-

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