图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / PJMH120N60EC_T0_00601

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: PJMH120N60EC_T0_00601
  • 厂商: Panjit
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: ESD Suppressors / TVS Diodes 600V 120mohm30A Easy to driver SJ MOSFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 9000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件包装:TO-247AD
  • Breakdown Voltage / V:600 V
  • Unit Weight:0.219792 oz
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:30
  • Manufacturer:Panjit
  • Brand:Panjit
  • RoHS:Details
  • Package:Tube
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • 厂商:Panjit International Inc.
  • Power Dissipation (Max):235W (Tc)
  • Product Status:活跃
  • 包装:Tube
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:-
  • 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:120mOhm @ 12A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1960 pF @ 400 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:51 nC @ 10 V
  • 漏源电压 (Vdss):600 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 场效应管特性:-
  • 产品类别:ESD Suppressors / TVS Diodes

采购询价