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单MOSFET晶体管 / BCW60CT/R

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  • 型号: BCW60CT/R
  • 厂商: NXP(恩智浦)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装:
  • 描述: 100 Ma 32 V NPN Si Small Signal Transistor TO-236AB
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
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付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • hFEMin:40
  • Voltage Rating (DC):32 V
  • RoHS:Compliant
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:550 mV
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 最高工作温度:150 °C
  • 最小工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:250 mW
  • 额定电流:100 mA
  • 极性:NPN
  • 元素配置:Single
  • 增益带宽积:250 MHz
  • 集电极发射器电压(VCEO):32 V
  • 集电极基极电压(VCBO):32 V
  • 发射极基极电压 (VEBO):5 V
  • 连续集电极电流:100 mA
  • 无铅:无铅

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