简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / PJF18N20_T0_00001
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： PJF18N20_T0_00001
- 厂商： Panjit
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： ITO-220AB-F-3
- 描述： MOSFET 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 2062
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：ITO-220AB-F-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：ITO-220AB
- Qualification：AEC-Q200
- Voltage, Rating：150 V
- Case Code - in：1206
- Case Code - mm：3216
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Unit Weight：0.000571 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Mounting Styles：PCB 安装
- Manufacturer：TT Electronics
- Brand：Welwyn Components / TT Electronics
- RoHS：Details
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：200 V
- Typical Turn-On Delay Time：15 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3 V
- Pd - Power Dissipation：50 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：24 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：160 mOhms
- Typical Turn-Off Delay Time：104 ns
- Id - Continuous Drain Current：18 A
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Panjit International Inc.
- Power Dissipation (Max)：50W (Tc)
- Product Status：活跃
- 系列：PCF
- 包装：Reel
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 容差：0.1 %
- 温度系数：25 PPM / C
- 电阻：6.19 kOhms
- 子类别：Resistors
- 额定功率：125 mW (1/8 W)
- 技术：Thin Film
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：160mOhm @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1017 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：24 nC @ 10 V
- 上升时间：61 ns
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：薄膜电阻器
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 特征：-
- 产品类别：Thin Film Resistors - SMD
- 宽度：1.55 mm
- 高度：0.65 mm
- 长度：3.05 mm
相关产品
