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单MOSFET晶体管 / PJD8NA65A_L2_00001
- 价格 起订量
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- 型号： PJD8NA65A_L2_00001
- 厂商： Panjit
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252AA-3
- 描述： MOSFET 650V N-Channel MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-252AA-3
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：TO-252
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：TE Connectivity
- Brand：TE Connectivity / DEUTSCH
- RoHS：N
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Typical Turn-On Delay Time：15 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：140 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.010476 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：29 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.2 Ohms
- Typical Turn-Off Delay Time：92 ns
- Id - Continuous Drain Current：7.5 A
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Panjit International Inc.
- Power Dissipation (Max)：140W (Tc)
- Product Status：不用于新设计
- 包装：Bulk
- 系列：NFET-650SMN
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 子类别：Circular Connectors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2Ohm @ 3.75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1245 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29 nC @ 10 V
- 上升时间：27 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 产品类别：军规圆形连接器
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：军规圆形连接器
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