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单MOSFET晶体管 / VP3203N3-G P002
- 价格 起订量
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- 型号： VP3203N3-G P002
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 质量：0
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Suitable for：Direct thermal printer
- Content：260pc(s)
- Compatible with：LabelWriter 310,LabelWriter 330T,LabelWriter 400,LabelWriter 450,LabelWriter 4XL
- Factory colour：White
- Package Description：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：VP3203N3-GP002
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microchip Technology Inc
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Risk Rank：5.08
- Drain Current-Max (ID)：0.65 A
- 附加功能：高输入阻抗
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：O-PBCY-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-92
- 漏极-源极导通最大电阻：0.6 Ω
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 格式：Rectangular
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.74 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：60 pF
- 环境耗散-最大值：0.74 W
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