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单MOSFET晶体管 / SCT1000N170
- 价格 起订量
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- 型号： SCT1000N170
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： HiP-247-3
- 描述： MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：HiP-247-3
- 供应商器件包装：HiP247™
- 房屋材料：Glass Filled Polyamide
- Manufacturer Part Number：831612B3.FC
- Approvals：NF;UL;cUL
- Manufacturer：Crouzet
- Continuous Drain Current Id：7
- Number of Elements per Chip：1
- Package Type：HiP247
- Channel Mode：Enhancement
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.7 kV
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.1 V
- Pd - Power Dissipation：120 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 25 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：600
- Mounting Styles：通孔
- Brand：STMicroelectronics
- Qg - Gate Charge：14 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1 Ohms
- RoHS：Details
- Id - Continuous Drain Current：6 A
- Package：Tube
- Base Product Number：SCT1000
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：20V
- 厂商：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：96W (Tc)
- Product Status：活跃
- 系列：SCT1000N170
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 200°C (TJ)
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 执行器类型：扁平杠杆
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：96
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.3Ohm @ 3A, 20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：133 pF @ 1000 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13.3 nC @ 20 V
- 漏源电压 (Vdss)：1700 V
- Vgs（最大值）：+22V, -10V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 信道型：N通道
- 场效应管特性：-
- 连接类型：Quick Connect Terminals
- 产品类别：MOSFET
- 触点：FORM B (SPNC)
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