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BJT 晶体管阵列 / BC856AQ-7-F
- 价格 起订量
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- 型号： BC856AQ-7-F
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： QFN
- 描述： PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 9013
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：QFN
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Standard Frequency：7.3728
- Operating Temp Range：-40C to 85C
- Operating Supply Voltage (Max)：1.98(V)
- Operating Supply Voltage (Min)：1.62(V)
- Programmable：无
- Transistor Polarity：NPN
- Qualification：AEC-Q101
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：310 mW
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：200 MHz
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- Maximum DC Collector Current：100 mA
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：65 V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 类型：CLOCK OSCILLATOR
- 子类别：Transistors
- 频率稳定性：±25(ppm)
- 对称性-最大值：55(%)
- 配置：Single
- 负载电容：15(pF)
- 功率耗散：350
- 功率 - 最大：310mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：125 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65V
- 转换频率：100
- 频率转换：200MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 连续集电极电流：500
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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