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BJT 晶体管阵列 / BC856BS/DG/B4X
- 价格 起订量
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- 型号： BC856BS/DG/B4X
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： Radial, Can - Snap-In
- 描述： TRANSISTOR GEN PURP
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：Radial, Can - Snap-In
- 供应商器件包装：6-TSSOP
- 表面贴装的焊盘尺寸：--
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Voltage Rated：100V
- Lifetime @ Temp.：2000 Hrs @ 105°C
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Base Product Number：BC856
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Product Status：活跃
- 操作温度：-40°C ~ 105°C
- 系列：256 PMG-SI
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：1.378 Dia (35.00mm)
- 容差：±20%
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 应用：通用型
- 电容量：5600µF
- ESR（等效串联电阻）：47 mOhm @ 120Hz
- 引线间距：0.394 (10.00mm)
- 极化：Polar
- 纹波电流@低频：3.51A @ 120Hz
- 功率 - 最大：300mW
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65V
- 频率转换：100MHz
- 座位高度(最大)：1.850 (47.00mm)
- 评级结果：--
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