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BJT 晶体管阵列 / JAN2N3810U
- 价格 起订量
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- 型号： JAN2N3810U
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： TO-78-6 Metal Can
- 描述： Trans BJT Array PNP 60V 50mA 6-Pin TO-78 Bag
- 库存地点： 内地
- 库存： 40
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-78-6 Metal Can
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：TO-78-6
- Manufacturer Part Number：WRPTR-A6500-SHPKIT
- Manufacturer：Brady
- Number of Elements：2
- RoHS：Non-Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Brand：Microchip / Microsemi
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- Base Product Number：2N3810
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- 系列：2N3810
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：350 mW
- 技术：Si
- 极性：PNP
- 功率耗散：350 mW
- 功率 - 最大：350mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：60 V
- 最大集电极电流：50 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：150 @ 1mA, 5V
- 最大集极截止电流：10µA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 100µA, 1mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 辐射硬化：无
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