单MOSFET晶体管 / G3R20MT17N

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型号： G3R20MT17N
厂商： HORNBY ELECTRONIC(南通康比)
类别：单MOSFET晶体管
封装： QFN
描述： Silicon Carbide MOSFET,Single, N Channel, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
库存地点：内地
库存： 2836
货期： 1 - 3 个工作日

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：QFN
安装类型：底座安装
供应商器件包装：SOT-227
Standard Frequency：66
Operating Temp Range：-40C to 85C
Operating Supply Voltage (Max)：2.75(V)
Operating Supply Voltage (Min)：2.25(V)
Programmable：无
Continuous Drain Current Id：100A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.7 kV
Typical Turn-On Delay Time：117 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.7 V
Pd - Power Dissipation：476 W
Transistor Polarity：N-Channel
Maximum Operating Temperature：+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage：- 5 V, + 15 V
Unit Weight：1 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10
Mounting Styles：SMD/SMT
Forward Transconductance - Min：38.6 S
Channel Mode：Enhancement
Manufacturer：GeneSiC Semiconductor
Brand：GeneSiC Semiconductor
Qg - Gate Charge：256 nC
Rds On - Drain-Source Resistance：20 mOhms
RoHS：Details
Typical Turn-Off Delay Time：134 ns
Id - Continuous Drain Current：92 A
Package：Tube
Base Product Number：G3R20
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：15V
厂商：GeneSiC Semiconductor
Power Dissipation (Max)：523W (Tc)
Product Status：活跃
包装：Bulk
系列：G3R
操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
类型：CLOCK OSCILLATOR
子类别：MOSFETs
技术：SiC
频率稳定性：±25(ppm)
对称性-最大值：55(%)
配置：Single
通道数量：1 Channel
负载电容：15(pF)
功率耗散：523W
场效应管类型：N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs：26mOhm @ 75A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 15mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：10187 pF @ 1000 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：400 nC @ 15 V
上升时间：129 ns
漏源电压 (Vdss)：1700 V
Vgs（最大值）：±15V
产品类别：MOSFET
晶体管类型：MOSFET
信道型：N通道
场效应管特性：-
产品：MOSFET
产品类别：MOSFET