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单MOSFET晶体管 / PSMN8R5-100PSFQ
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: PSMN8R5-100PSFQ
- 厂商: NXP(恩智浦)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件包装:TO-220AB
- Package:Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:98A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
- 厂商:恩智浦半导体
- Power Dissipation (Max):183W (Ta)
- Product Status:活跃
- 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列:-
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:8.7mOhm @ 25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:3181 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:44.5 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss):100 V
- Vgs(最大值):±20V
- 场效应管特性:-
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