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单MOSFET晶体管 / JANTXV2N6796
- 价格 起订量
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- 型号： JANTXV2N6796
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
- 库存地点： 内地
- 库存： 1264
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：NTE1836
- Manufacturer：NTE Electronics
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：无
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.15
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：125 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 参考标准：MIL-19500
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：Qualified
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：25 W
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：5 A
- JEDEC-95代码：TO-205AF
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.195 Ω
- 漏源击穿电压：100 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：32 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 雪崩能量等级（Eas）：75 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：25 W
- 通态电阻：200 mΩ
- 辐射硬化：无
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