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单MOSFET晶体管 / IRF323
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IRF323
- 厂商: Infineon(英飞凌)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装:
- 描述: IRF323 - N-Channel HERMETIC MOS HEXFET
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:NO
- 终端数量:2
- 晶体管元件材料:SILICON
- Package Style:FLANGE MOUNT
- Package Body Material:METAL
- Manufacturer Part Number:IRF323
- Package Shape:ROUND
- Manufacturer:Rochester Electronics LLC
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank:5.39
- Drain Current-Max (ID):2.8 A
- 端子位置:BOTTOM
- 终端形式:PIN/PEG
- Reach合规守则:unknown
- JESD-30代码:O-MBFM-P2
- 资历状况:COMMERCIAL
- 配置:SINGLE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:DRAIN
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- JEDEC-95代码:TO-204AA
- 漏极-源极导通最大电阻:2.5 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):11 A
- DS 击穿电压-最小值:350 V
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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