图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / IRF323

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IRF323
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装:
  • 描述: IRF323 - N-Channel HERMETIC MOS HEXFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:NO
  • 终端数量:2
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:METAL
  • Manufacturer Part Number:IRF323
  • Package Shape:ROUND
  • Manufacturer:Rochester Electronics LLC
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Risk Rank:5.39
  • Drain Current-Max (ID):2.8 A
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:PIN/PEG
  • Reach合规守则:unknown
  • JESD-30代码:O-MBFM-P2
  • 资历状况:COMMERCIAL
  • 配置:SINGLE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:DRAIN
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-204AA
  • 漏极-源极导通最大电阻:2.5 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):11 A
  • DS 击穿电压-最小值:350 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

采购询价