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单MOSFET晶体管 / IPF010N06NF2SATMA1
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IPF010N06NF2SATMA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： TRENCH 40<-<100V
- 库存地点： 内地
- 库存： 832
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- 供应商器件包装：PG-TO263-7-U02
- Package：Box
- 厂商：Modern Equipment (MECO)
- Product Status：活跃
- Base Product Number：IPF010
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：44A (Ta), 293A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3.8W (Ta), 300W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.1 V
- Pd - Power Dissipation：300 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：203 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.05 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：293 A
- 系列：-
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 类型：Casters
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.05mOhm @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 246µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13800 pF @ 30 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：305 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 电容量：4800 lbs
- 场效应管特性：-
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