简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDC638P-P
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FDC638P-P
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： Axial
- 描述： MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：Axial
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：FDC638
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V, 4.5V
- 厂商：onsemi
- Power Dissipation (Max)：1.6W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- 操作温度：-65°C ~ 175°C
- 系列：Military, MIL-R-10509/8, RN50
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 尺寸/尺寸：0.065 Dia x 0.150 L (1.65mm x 3.81mm)
- 容差：±0.1%
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- 温度系数：±50ppm/°C
- 电阻：19.6 kOhms
- 组成：Metal Film
- 功率(瓦特)：0.05W, 1/20W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率：--
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：48mOhm @ 4.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1160 pF @ 10 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 场效应管特性：-
- 特征：Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
- 座位高度(最大)：--
相关产品
