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单MOSFET晶体管 / APT43F60B2
- 价格 起订量
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- 型号： APT43F60B2
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 安装类型：表面贴装
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：SG-8101
- 厂商：EPSON
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：45A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：780W (Tc)
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：145 ns
- 操作温度：-40°C ~ 105°C
- 系列：SG-8101
- 尺寸/尺寸：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- 类型：XO (Standard)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：780 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 电压 - 供电 ：1.8V ~ 3.3V
- 频率：50.1633 MHz
- 频率稳定性：±20ppm
- 输出量：CMOS
- 功能：Enable/Disable
- 基本谐振器：Crystal
- 最大电流源：6.8mA (Typ)
- 电流 - 电源（禁用）（最大值）：3.5mA
- 功率耗散：780 W
- 扩频带宽：-
- 接通延迟时间：48 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：150mOhm @ 21A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8590 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：215 nC @ 10 V
- 上升时间：55 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：45 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 输入电容：8.59 nF
- 绝对牵引范围 (APR)：-
- 场效应管特性：-
- 最大rds：150 mΩ
- 座位高度(最大)：0.047 (1.20mm)
- 辐射硬化：无
- 评级结果：-
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