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单MOSFET晶体管 / APT24M120B2
- 价格 起订量
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- 型号： APT24M120B2
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
- 库存地点： 内地
- 库存： 40
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Base Product Number：APT24M120
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：1040W (Tc)
- Package Description：ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT24M120B2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：2.25
- Drain Current-Max (ID)：24 A
- 操作温度：-10°C ~ 60°C
- 系列：SXT224
- 尺寸/尺寸：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 类型：兆赫晶体
- 端子表面处理：纯哑光锡
- 附加功能：雪崩 额定
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 频率：12.288 MHz
- 频率稳定性：±30ppm
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- ESR（等效串联电阻）：120 Ohms
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 负载电容：21pF
- 操作模式：Fundamental
- 箱体转运：DRAIN
- 频率容差：±25ppm
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：630mOhm @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8370 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：260 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：1200 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.63 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：90 A
- DS 击穿电压-最小值：1200 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1875 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 座位高度(最大)：0.026 (0.65mm)
- 评级结果：-
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