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单MOSFET晶体管 / APT66F60B2
- 价格 起订量
- ￥ 105.51948 1+
- ￥ 99.54668 10+
- ￥ 93.91196 100+
- ￥ 88.59619 500+
- ￥ 83.58131 1000+
- 型号： APT66F60B2
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3 Variant
- 描述： Trans MOSFET N-CH Si 600V 70A 3-Pin(3 Tab) T-MAX Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 105.51948
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 1 month ago)
- 安装类型：Free Hanging (In-Line)
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3 Variant
- 表面安装：NO
- 越来越多的功能：-
- 引脚数：3
- 外壳材料：铝合金
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Voltage, Rating：500VAC, 700VDC
- Package：Bulk
- Primary Material：Metal
- Base Product Number：MS3106R20
- 厂商：ITT Cannon, LLC
- Product Status：活跃
- Contact Finish Mating：Silver
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：225 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：1135W (Tc)
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT66F60B2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：1.47
- Drain Current-Max (ID)：66 A
- 操作温度：-55°C ~ 125°C
- 系列：Military, MIL-DTL-5015, MS
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 终端：焊杯
- 连接器类型：Plug, Female Sockets
- 定位的数量：11
- 端子表面处理：纯哑光锡
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 颜色：橄榄色
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- 紧固类型：Threaded
- 额定电流：22A
- 最大功率耗散：1.135 kW
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：SINGLE
- 方向：N (Normal)
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 屏蔽/屏蔽：-
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 入口保护：抗环境干扰
- Reach合规守则：compliant
- 外壳完成：橄榄色镉
- 引脚数量：3
- 外壳尺寸-插入：20-33
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 外壳尺寸，MIL：-
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：75 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90mOhm @ 33A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13190 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：330 nC @ 10 V
- 上升时间：85 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：70 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.1 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：245 A
- 输入电容：13.19 nF
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1845 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：75 mΩ
- 最大rds：90 mΩ
- 特征：Backshell, Coupling Nut
- 宽度：16.26 mm
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 触点表面处理厚度 - 配套：-
- 辐射硬化：无
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