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单MOSFET晶体管 / STD13N60M6
- 价格 起订量
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- 型号： STD13N60M6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Transistor MOSFET N-Channel 600V 10A 3-Pin D2PAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 677
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：D-PAK (TO-252)
- Package：Bulk
- 厂商：PEI-Genesis
- Product Status：活跃
- Continuous Drain Current Id：10
- Number of Elements per Chip：1
- Package Type：DPAK (TO-252)
- Channel Mode：Depletion
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：-
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Brand：STMicroelectronics
- Tradename：MDmesh
- RoHS：Details
- Base Product Number：STD13
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：92W (Tc)
- 系列：*
- 包装：MouseReel
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 功率耗散：92
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：380mOhm @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：509 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 产品类别：MOSFET
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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