单相BJT晶体管 / 2N3764

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型号： 2N3764
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单相BJT晶体管
封装： TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
描述： PNP TRANSISTOR
库存地点：内地
库存： 5
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型：通孔
包装/外壳：TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
底架：通孔
表面安装：NO
引脚数：3
供应商器件包装：TO-46
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：1.5 A
Base Product Number：2N3764
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
RoHS：Compliant
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：500 mW
Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
Pd - Power Dissipation：1 W
Transistor Polarity：PNP
Maximum Operating Temperature：+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min：30
Collector-Emitter Saturation Voltage：900 mV
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Mounting Styles：通孔
Gain Bandwidth Product fT：-
Maximum DC Collector Current：1.5 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：40 V
Package Style：CYLINDRICAL
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：200 °C
Rohs Code：无
Manufacturer Part Number：2N3764
Turn-on Time-Max (ton)：43 ns
Package Shape：ROUND
Manufacturer：Microsemi Corporation
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)：115 ns
Risk Rank：5.17
Part Package Code：BCY
操作温度：-55°C ~ 200°C
系列：-
包装：Bulk
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：锡铅
最高工作温度：200 °C
最小工作温度：-55 °C
子类别：其他晶体管
技术：Si
端子位置：BOTTOM
终端形式：WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
JESD-30代码：O-MBCY-W3
资历状况：不合格
极性：PNP
配置：Single
功率耗散：500 mW
功率 - 最大：1 W
晶体管应用：SWITCHING
极性/通道类型：PNP
晶体管类型：PNP
集电极发射器电压(VCEO)：40 V
最大集电极电流：1.5 A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 1.5A, 5V
最大集极截止电流：100nA
JEDEC-95代码：TO-46
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：900mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
频率转换：-
集电极基极电压(VCBO)：40 V
最大耗散功率(Abs)：0.5 W
发射极基极电压 (VEBO)：5 V
集电极电流-最大值(IC)：1.5 A
最小直流增益（hFE）：35
集电极-发射器电压-最大值：40 V
辐射硬化：无