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单相BJT晶体管 / BC856BWQ-7
- 价格 起订量
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- 型号： BC856BWQ-7
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： Axial, Box
- 描述： GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT323 T&R 3K
- 库存地点： 内地
- 库存： 1589
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial, Box
- 安装类型：表面贴装
- 越来越多的功能：Flanges
- 供应商器件包装：SOT-323
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Base Product Number：BC856
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- Package Type：SOT-323
- Maximum Collector Emitter Voltage：-65 V
- Maximum DC Collector Current：200 mA
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- RoHS：Details
- 操作温度：-55°C ~ 250°C
- 系列：Military, MIL-PRF-39009, RER70
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)
- 容差：±1%
- 零件状态：活跃
- 温度系数：±100ppm/°C
- 电阻：909 mOhms
- 组成：Wirewound
- 功率(瓦特)：20W
- 失败率：R (0.01%)
- 引线样式：焊片
- 功率 - 最大：200 mW
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：220 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V
- 涂层/外壳类型：Aluminum
- 频率转换：200MHz
- 特征：Military, Moisture Resistant
- 产品类别：Diodes Inc.
- 座位高度(最大)：0.561 (14.25mm)
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