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单相BJT晶体管 / DXTP3C100PDQ-13
- 价格 起订量
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- 型号： DXTP3C100PDQ-13
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： Axial, Box
- 描述： SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI5060-8/SWP T&R 2.5K
- 库存地点： 内地
- 库存： 1631
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial, Box
- 安装类型：表面贴装
- 越来越多的功能：Flanges
- 供应商器件包装：PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：3A
- Base Product Number：DXTP3C100
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- Package Type：PowerDI5060-8/SWP
- Maximum Collector Emitter Voltage：-100 V
- Maximum DC Collector Current：3 A
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- 操作温度：-55°C ~ 250°C
- 系列：Military, MIL-PRF-39009, RER75
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：1.968 L x 1.140 W (49.99mm x 28.96mm)
- 容差：±1%
- 零件状态：活跃
- 温度系数：±20ppm/°C
- 电阻：10.5 kOhms
- 组成：Wirewound
- 功率(瓦特)：30W
- 失败率：M (1%)
- 引线样式：焊片
- 功率 - 最大：1.76W
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：170 @ 500mA, 10V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：325mV @ 200mA, 2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
- 涂层/外壳类型：Aluminum
- 频率转换：100MHz
- 特征：Military, Moisture Resistant
- 产品类别：Diodes Inc.
- 座位高度(最大)：0.625 (15.87mm)
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