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单相BJT晶体管 / BC856A-T
- 价格 起订量
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- 型号： BC856A-T
- 厂商： RECTRON(丽正)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP
- 库存地点： 内地
- 库存： 7933
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Panel Mount, Through Hole
- 包装/外壳：SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 介电材料：聚酯热塑性塑料
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 外壳材料，完成：Steel, Nickel Plated
- Voltage, Rating：-
- Package：-
- Base Product Number：637-015
- 厂商：EDAC Inc.
- Product Status：活跃
- Contact Materials：Brass
- Collector-Emitter Saturation Voltage：650 mV
- hFEMin：125
- RoHS：Compliant
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：200 mW
- Transistor Polarity：PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：125
- Unit Weight：0.000282 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：100 MHz
- Part # Aliases：BC856A
- Manufacturer：Rectron
- Brand：Rectron
- Maximum DC Collector Current：100 mA
- DC Current Gain hFE Max：250
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：65 V
- Package Description：SOT-23, 3 PIN
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：100 MHz
- Manufacturer Part Number：BC856A-T
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Samacsys Description：Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP
- Ihs Manufacturer：RECTRON LTD
- Risk Rank：4.69
- Part Package Code：SOT-23
- 操作温度：-55°C ~ 85°C
- 系列：637
- 包装：MouseReel
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 终端：Solder
- ECCN 代码：EAR99
- 连接器类型：Plug, Male Pins
- 定位的数量：15
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最高工作温度：150 °C
- 颜色：Black
- 行数：3
- 子类别：Transistors
- 触点类型：Signal
- 额定电流：3A per Contact
- 最大功率耗散：250 mW
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：265
- 入口保护：-
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- 触点表面处理：Gold
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 极性：PNP
- 线规：-
- 配置：Single
- 法兰特性：Housing/Shell (Unthreaded)
- 元素配置：Single
- 连接器样式：D-Sub, High Density
- 触点形式：-
- 外壳尺寸，连接器布局：1 (DE, E) High Density
- 增益带宽积：100 MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 集电极发射器电压(VCEO)：65 V
- 最大集电极电流：100 mA
- 后退间距：-
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
- 最小直流增益（hFE）：125
- 集电极-发射器电压-最大值：65 V
- 特征：Grounding Indents, Shielded
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 宽度：1.4 mm
- 高度：1.15 mm
- 长度：3 mm
- 触点表面处理厚度：30.0µin (0.76µm)
- 材料可燃性等级：UL94 V-0
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