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IGBT晶体管模块 / APTGT750U60D4G
- 价格 起订量
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- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： APTGT750U60D4G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Axial, Can
- 描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 1KA 4-Pin Case D 4
- 库存地点： 内地
- 库存： 2213
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial, Can
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：D4
- 表面贴装的焊盘尺寸：--
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Lifetime @ Temp.：500 Hrs @ 85°C
- Voltage Rated：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：1000 A
- Base Product Number：APTGT750
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Pd - Power Dissipation：2.3 kW
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Continuous Collector Current at 25 C：1 kA
- Mounting Styles：底座安装
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
- 操作温度：-20°C ~ 85°C
- 系列：39D
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：0.760 Dia x 2.642 L (19.30mm x 67.10mm)
- 容差：-10%, +50%
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 应用：通用型
- 电容量：250µF
- ESR（等效串联电阻）：--
- 引线间距：--
- 配置：Single
- 极化：Polar
- 功率耗散：2.3
- 功率 - 最大：2300 W
- 输入：Standard
- 最大集极截止电流：1 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 800A
- 连续集电极电流：1
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：49 nF @ 25 V
- 产品：IGBT硅模块
- 座位高度(最大)：--
- 评级结果：--
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