单MOSFET晶体管 / APT9M100B

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型号： APT9M100B
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-247-3
描述： MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
库存地点：内地
库存： 40
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型：通孔
包装/外壳：TO-247-3
底架：通孔
表面安装：NO
供应商器件包装：TO-247 [B]
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Package：Tube
Base Product Number：APT9M100
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：微芯片技术
Power Dissipation (Max)：335W (Tc)
Product Status：活跃
Schedule B：8541290080
Number of Elements：1
Voltage Rating (DC)：1 kV
RoHS：Compliant
Turn Off Delay Time：40 ns
Package Description：ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：APT9M100B
Package Shape：RECTANGULAR
Manufacturer：Microsemi Corporation
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：1.73
Part Package Code：TO-247AD
Drain Current-Max (ID)：9 A
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：POWER MOS 8™
JESD-609代码：e1
无铅代码：有
端子表面处理：锡银铜
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
最大功率耗散：335 W
技术：MOSFET (Metal Oxide)
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
额定电流：9 A
引脚数量：3
JESD-30代码：R-PSFM-T3
资历状况：不合格
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：335 W
箱体转运：DRAIN
接通延迟时间：12 ns
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：1.4Ohm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2605 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80 nC @ 10 V
上升时间：11 ns
漏源电压 (Vdss)：1000 V
Vgs（最大值）：±30V
极性/通道类型：N-CHANNEL
连续放电电流(ID)：9 A
JEDEC-95代码：TO-247AD
栅极至源极电压(Vgs)：30 V
漏极-源极导通最大电阻：1.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：37 A
输入电容：2.605 nF
DS 击穿电压-最小值：1000 V
雪崩能量等级（Eas）：575 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性：-
最大rds：1.4 Ω
辐射硬化：无
无铅：无铅