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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC60DSKM24T3G
- 价格 起订量
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- 型号： APTC60DSKM24T3G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SP3
- 描述： POWER MODULE - COOLMOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 37
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SP3
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SP3
- Voltage, Rating：100 V
- Package：Tray
- Base Product Number：APTC60
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：95A
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- RoHS：Details
- Number of Elements：2
- 操作温度：-40°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- 包装：Tube
- 温度系数：10.0000 ppm/°C
- 电阻：100 kOhm
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 额定功率：0.1 W
- 最大功率耗散：462 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 电阻器类型：High Precision/High Stability
- 配置：2 N Channel (Dual Buck Chopper)
- 功率 - 最大：462W
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24mOhm @ 47.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：14400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 连续放电电流(ID)：95 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 输入电容：14.4 nF
- 电阻公差：0.1
- 场效应管特性：超级交界处
- 漏源电阻：24 mΩ
- 最大rds：24 mΩ
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 产品长度：2 mm
- 产品宽度：1.25 mm
- 无铅：无铅
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