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IGBT晶体管模块 / APT50GR120JD30
- 价格 起订量
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- 型号： APT50GR120JD30
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SOT-227-4
- 描述： IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SOT-227-4
- 供应商器件包装：SOT-227
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：84 A
- Base Product Number：APT50GR120
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT50GR120JD30
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.62
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- ECCN 代码：EAR99
- 子类别：绝缘栅BIP晶体管
- Reach合规守则：compliant
- 配置：Single
- 功率 - 最大：417 W
- 输入：Standard
- 最大集极截止电流：1.1 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 最大耗散功率(Abs)：417 W
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V, 50A
- 集电极电流-最大值(IC)：84 A
- IGBT类型：NPT
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
- NTC热敏电阻：无
- 栅极-发射极电压-最大值：30 V
- 输入电容(Cies)@Vce：5.55 nF @ 25 V
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