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IGBT晶体管模块 / NXH160T120L2Q2F2S1G
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 100+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NXH160T120L2Q2F2S1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT/Inverse Diode 2.7V 3000Vrms 56-Pin Case 180AK Tray
- 库存地点： 内地
- 库存： 2791
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 供应商器件包装：56-PIM/Q2PACK (93x47)
- Peak Forward Voltage：3.3 V
- Maximum Gate Emitter Voltage：±20 V
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：2.7@160A V
- Supplier Package：Case 180AK
- Maximum Forward Current：132 A
- Maximum Collector Emitter Voltage：1200 V
- Maximum DC Collector Current：181 A
- Minimum Isolation Voltage：3000 Vrms
- Maximum Collector Cut-off Current：500 uA
- Mounting：螺钉安装
- Manufacturer：onsemi
- Brand：onsemi
- RoHS：Details
- Package：Tray
- Current-Collector (Ic) (Max)：181 A
- 厂商：onsemi
- Product Status：活跃
- 操作温度：-40 to 150 °C
- 包装：Tray
- 系列：-
- 子类别：IGBTs
- 引脚数量：56
- 配置：三级逆变器
- 功率 - 最大：500 W
- 输入：Standard
- 产品类别：IGBT模块
- 最大集极截止电流：500 µA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 信道型：N
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V, 160A
- IGBT类型：-
- NTC热敏电阻：有
- 输入电容(Cies)@Vce：38.8 nF @ 25 V
- 产品类别：IGBT模块
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