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单MOSFET晶体管 / APT84F50B2
- 价格 起订量
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- 型号： APT84F50B2
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3 Variant
- 描述： MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
- 库存地点： 内地
- 库存： 46
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3 Variant
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- Package：Tube
- Base Product Number：APT84F50
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：84A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：1135W (Tc)
- Product Status：活跃
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：155 ns
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 8™
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1.135 kW
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 接通延迟时间：60 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：65mOhm @ 42A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13500 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：340 nC @ 10 V
- 上升时间：70 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：84 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 输入电容：13.5 nF
- 场效应管特性：-
- 最大rds：65 mΩ
- 辐射硬化：无
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