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单相BJT晶体管 / JANS2N2907A
- 价格 起订量
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- 型号： JANS2N2907A
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 描述： Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18
- 库存地点： 内地
- 库存： 65
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-206AA (TO-18)
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Transistor Polarity：PNP
- Emitter-Base Voltage：5(V)
- Package Type：TO-18
- Collector-Base Voltage：60(V)
- Category：双极小信号
- Operating Temp Range：-65C to 200C
- Collector Current (DC)：0.6(A)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- DC Current Gain：75
- Mounting：通孔
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：600 mA
- Base Product Number：2N2907
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Schedule B：8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
- RoHS：Non-Compliant
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：通孔
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Maximum DC Collector Current：600 mA
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：200 MHz
- Manufacturer Part Number：JANS2N2907A
- Turn-on Time-Max (ton)：45 ns
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff)：300 ns
- Risk Rank：1.45
- Part Package Code：BCY
- 包装：Tray
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/291
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 温度系数：5.0000, 10.0000 ppm/°C
- 电阻：7.5 kOhm
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：其他晶体管
- 额定功率：0.6 W
- 最大功率耗散：400 mW
- 技术：Si
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- 参考标准：MIL-19500/291
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：Qualified
- 配置：Single
- 功率耗散：500
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输出功率：Not Required(W)
- 功率 - 最大：500 mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：60 V
- 最大集电极电流：600 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：50nA
- JEDEC-95代码：TO-206AA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 最大耗散功率(Abs)：0.4 W
- 电阻公差：0.1
- 集电极电流-最大值(IC)：0.6 A
- 最小直流增益（hFE）：100
- 连续集电极电流：600
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
- 产品长度：7.62
- 产品宽度：2.67
- 辐射硬化：无
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