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单相BJT晶体管 / JANTX2N5667
- 价格 起订量
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- 型号： JANTX2N5667
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-5-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
- 库存地点： 内地
- 库存： 111
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-5-3
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-5
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Qualification：MIL-PRF-55681/11
- Transistor Polarity：NPN
- Emitter-Base Voltage：6(V)
- Package Type：TO-5
- Collector-Base Voltage：400(V)
- Category：双极电源
- Operating Temp Range：-65C to 200C
- Collector Current (DC)：5(A)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Mounting：通孔
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- RoHS：Compliant
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：1.2 W
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：25 at 1 A, 5 VDC
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：5 A
- DC Current Gain hFE Max：75 at 1 A, 5 VDC
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：300 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：5 A
- Base Product Number：2N5667
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JANTX2N5667
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：1.44
- Part Package Code：TO-5
- 包装：Bag
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/455
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电容量：0.015 uF
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：1.2 W
- 技术：Si
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- 参考标准：MIL-19500/455E
- JESD-30代码：O-MBFM-P2
- 资历状况：Qualified
- 极性：NPN
- 配置：Single
- 功率耗散：1.2
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输出功率：Not Required(W)
- 功率 - 最大：1.2 W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：300 V
- 最大集电极电流：5 A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 1A, 5V
- 最大集极截止电流：200nA
- JEDEC-95代码：TO-5
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 1A, 5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：400 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6 V
- 集电极电流-最大值(IC)：5 A
- 最小直流增益（hFE）：25
- 连续集电极电流：5
- 集电极-发射器电压-最大值：300 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 产品长度：4.5 mm
- 产品宽度：4.5 x 6.4 x 1.5
- 辐射硬化：无
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