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单相BJT晶体管 / JANTX2N2432A
- 价格 起订量
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- 型号： JANTX2N2432A
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-18-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BJTs
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-18-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-18 (TO-206AA)
- Mounting：通孔
- Seated Plane Height：18.3 mm
- Wire Form：内压接
- Emitter- Base Voltage VEBO：18 V
- Pd - Power Dissipation：600 mW
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：2
- Collector-Emitter Saturation Voltage：150 uV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：100 mA
- DC Current Gain hFE Max：400
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：45 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Base Product Number：2N2432
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- 操作温度：-40 to 85 °C
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/313
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 端子间距：5.8 mm
- 配置：Single
- 功率 - 最大：300 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 1mA, 5V
- 最大集极截止电流：10nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：0.15mV @ 500µA, 10V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：45 V
- 连续集电极电流：100 mA
- 跳闸电流：5 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 产品长度：11.4 mm
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