MOSFETs 晶体管阵列 / IXFM20N60

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型号： IXFM20N60
厂商： IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse
类别： MOSFETs 晶体管阵列
封装：
描述：
库存地点：内地
库存：暂无库存
货期： 1 - 3 个工作日

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
表面安装：NO
材料：Si
终端数量：2
晶体管元件材料：SILICON
EU RoHS：Compliant
ECCN (US)：EAR99
HTS：8541.29.00.95
Automotive：无
PPAP：无
Category：功率MOSFET
Process Technology：HiperFET
Channel Mode：Enhancement
Number of Elements per Chip：1
Maximum Drain Source Voltage (V)：600
Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
Maximum Continuous Drain Current (A)：20
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：350@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：151@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)：151
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：4500@25V
Maximum Power Dissipation (mW)：300000
Typical Fall Time (ns)：40
Typical Rise Time (ns)：43
Typical Turn-Off Delay Time (ns)：70
Typical Turn-On Delay Time (ns)：20
Minimum Operating Temperature (°C)：-55
Maximum Operating Temperature (°C)：150
Mounting：通孔
Package Height：11.4(Max)
Package Width：26.66(Max)
Package Length：39.12(Max)
PCB changed：2
Tab：Tab
Supplier Package：TO-204AE
Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IXFM20N60
Package Shape：ROUND
Manufacturer：IXYS Corporation
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Obsolete
Ihs Manufacturer：IXYS CORP
Risk Rank：5.83
Part Package Code：TO-3
Drain Current-Max (ID)：20 A
无铅代码：有
零件状态：Obsolete
附加功能：雪崩额定
子类别：FET 通用电源
端子位置：BOTTOM
终端形式：PIN/PEG
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：3
JESD-30代码：O-MBFM-P2
资历状况：不合格
配置：Single
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
晶体管应用：SWITCHING
极性/通道类型：N-CHANNEL
JEDEC-95代码：TO-204
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
漏极-源极导通最大电阻：0.35 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：80 A
DS 击穿电压-最小值：600 V
信道型：N
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)：300 W
环境耗散-最大值：300 W