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MOSFETs 晶体管阵列 / IAUS300N04S4N007ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 100+
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- 型号： IAUS300N04S4N007ATMA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerSFN
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 5135
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerSFN
- 供应商器件包装：PG-HSOG-8-1
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：有
- PPAP：Unknown
- Maximum Drain Source Voltage (V)：40
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4
- Mounting：表面贴装
- Package Height：2.3
- Package Width：8.55
- Package Length：9.9
- PCB changed：8
- Tab：Tab
- Supplier Package：HSOG
- Continuous Drain Current Id：300
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：375W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- 包装：卷带
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：OptiMOS™
- 零件状态：Obsolete
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 引脚数量：9
- 功率耗散：375
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：740mOhm @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：27356 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：342 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：40 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
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