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MOSFETs 晶体管阵列 / IPG20N06S4L11TMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPG20N06S4L11TMA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：OptiMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Maximum Drain Source Voltage (V)：60
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±16
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：2.2
- Maximum Continuous Drain Current (A)：20
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：11.2@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：41@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：41
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：3090@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：65000
- Typical Fall Time (ns)：19
- Typical Rise Time (ns)：3
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：58
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：11
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Supplier Temperature Grade：汽车
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 配置：双排双泄
- 信道型：N
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