图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / 2N697

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: 2N697
  • 厂商: Microchip Technology
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-5-3
  • 描述: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 126
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • 包装/外壳:TO-5-3
  • 安装类型:通孔
  • 触点镀层:Lead, Tin
  • 底架:通孔
  • 表面安装:NO
  • 引脚数:3
  • 供应商器件包装:TO-5AA
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:N
  • Mounting Styles:通孔
  • Transistor Polarity:NPN
  • Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
  • Pd - Power Dissipation:600 mW
  • Minimum Operating Temperature:- 65 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 200 C
  • DC Collector/Base Gain hfe Min:40 at 150mA, 10 VDC
  • DC Current Gain hFE Max:120 at 150 mA, 10 VDC
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
  • Unit Weight:1 oz
  • Package:Bulk
  • Base Product Number:2N697
  • 厂商:微芯片技术
  • Product Status:活跃
  • Number of Elements:1
  • Package Description:TO-5, 3 PIN
  • Package Style:CYLINDRICAL
  • Package Body Material:METAL
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:200 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:2N697
  • Turn-on Time-Max (ton):200 ns
  • Package Shape:ROUND
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
  • Turn-off Time-Max (toff):1000 ns
  • Risk Rank:5.15
  • Part Package Code:BCY
  • 包装:Bulk
  • 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • 系列:-
  • JESD-609代码:e0
  • 无铅代码:
  • 端子表面处理:锡铅
  • 最高工作温度:200 °C
  • 最小工作温度:-65 °C
  • HTS代码:8541.21.00.95
  • 最大功率耗散:600 mW
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:WIRE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:unknown
  • 引脚数量:2
  • 参考标准:MIL-19500/99E
  • JESD-30代码:O-MBCY-W3
  • 资历状况:不合格
  • 极性:NPN
  • 配置:Single
  • 功率耗散:600 mW
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 功率 - 最大:600 mW
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:NPN
  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极发射器电压(VCEO):40 V
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
  • 最大集极截止电流:10µA (ICBO)
  • JEDEC-95代码:TO-5
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.5V @ 15mA, 150mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 频率转换:-
  • 集电极基极电压(VCBO):60 V
  • 发射极基极电压 (VEBO):5 V
  • 最小直流增益(hFE):40

采购询价