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单相BJT晶体管 / 2N5153U3
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5153U3
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SMD-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 2961
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SMD-3
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：U3
- RoHS：N
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：NPN
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：80 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：5.5 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Pd - Power Dissipation：1.16 W
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50
- DC Current Gain hFE Max：90
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：1 mA
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：2N5153U3
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.64
- 包装：Tray
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- ECCN 代码：EAR99
- Reach合规守则：compliant
- 配置：Single
- 功率 - 最大：1.16 W
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 2.5A, 5V
- 最大集极截止电流：1mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 500mA, 5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 最大耗散功率(Abs)：100 W
- 集电极电流-最大值(IC)：2 A
- 最小直流增益（hFE）：70
- 连续集电极电流：2 A
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