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单相BJT晶体管 / BC857C-QVL
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BC857C-QVL
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236AB-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BC857C-Q/SOT23/TO-236AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 3530000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-236AB-3
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：TO-236AB
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：PNP
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：45 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：650 mV
- Maximum DC Collector Current：200 mA
- Pd - Power Dissipation：250 mW
- Gain Bandwidth Product fT：100 MHz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Qualification：AEC-Q101
- DC Collector/Base Gain hfe Min：420 at 2 mA, 5 V
- DC Current Gain hFE Max：800 at 2 mA, 5 V
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10000
- Part # Aliases：934663680235
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Base Product Number：BC857
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Product Status：活跃
- 包装：MouseReel
- 操作温度：150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 配置：Single
- 功率耗散：250
- 功率 - 最大：250 mW
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：420 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
- 转换频率：100
- 频率转换：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50 V
- 连续集电极电流：100 mA
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