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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N3716
- 价格 起订量
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- 型号： 2N3716
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 32
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：TO-3
- 安装类型：通孔
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-204AD (TO-3)
- RoHS：N
- Mounting Styles：通孔
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.225789 oz
- Transistor Polarity：NPN
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：10 A
- Base Product Number：2N3716
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Number of Elements：1
- 包装：Tray
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：5 W
- 极性：NPN
- 功率耗散：5 W
- 功率 - 最大：5 W
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80 V
- 最大集电极电流：10 A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 1A, 2V
- 最大集极截止电流：1mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：2.5V @ 2A, 10A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7 V
- 连续集电极电流：10
- 辐射硬化：无
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